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碳化硅助力三代半导体弯道超车赶超世界技术!

时间:2020-07-14    作者:碳化硅    所属栏目:行业新闻

三代半导体的研发是目前重点培养对象,在两会期间第三代半导体这个名词成为了一个热门,在刚刚发布的“十四五”规划和2035年远景目标纲要中均有提到将要加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,而碳化硅更是三代半导体不可或缺的材料,之所以说碳化硅助力三代半导体弯道超车主要是因为第三代半导体材料或许可以成为我们摆脱集成电路被动局面,从而使得该技术赶超世界技术.

碳化硅助力三代半导体弯道超车赶超世界技术

碳化硅作为三代半导体的重要材料,自然受到许多方面的重视,相比于其他材料而言碳化硅耐高压、高频、大功率等优良的物理特性,碳化硅目前涉及的领域也相对较为广泛,在卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站的建造中均可以看到其身影.

目前碳化硅单晶的制备一直是全球性难题,而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术,之前,这项技术只掌握在美国手里,且长期对我国技术封锁,过去,我国的半导体材料长期依赖国外进口,由此带来的问题就是半导体材料价格昂贵、渠道不稳,随时都可能面对禁运的风险,而且产品的质量也难以得到有效保证,国人备受半导体材料和核心技术 “卡脖子”之痛,而此次所提及的重点培养三代半导体中碳化硅自然成为了行业焦点,相信未来有望可看到碳化硅助力三代半导体弯道超车,赶超世界技术!

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